dual ball香烟多少钱一包，玩舞会一次加多少心动值

本文目录一览

1，玩舞会一次加多少心动值
2，郑容和参加了哪几次running man
3，跑分15玩的主机能玩什么游戏
4，DXP里怎么自己画封装
5，我的dxp2004放置引脚没有这一选项
6，笔记本和台式机内存条的插口类型有哪些针脚数是多少各用

1，玩舞会一次加多少心动值

最多可以加400

最多四百

最多200点，希望你采纳、

蹦多少个心就加多少心动的，【腾讯互助一团把我的骄傲还给我为您服务】如果您对我的回答感到满意请您选择“采纳”和“五星”评价如果还有疑问欢迎追问谢谢

玩舞会一次加多少心动值

2，郑容和参加了哪几次running man

友友，我一共找到8期：2010年3期，2011年4期，2012年1期希望对你有帮助哈O(∩_∩)O~ 1. 100822 E07 地点：世宗文化会馆任务：寻找running ball 2. 100919 E11　地点：首尔中央邮局任务：获得running ball（个人战）3. 101107 E17 　地点：汉阳女子大学任务：获得running ball（个人战） 4. 110320 E35 地点：兰芝露营区 5. 110327 E36 地点：兰芝露营区 6. 111211 E72 中国（香港）特辑（上） 7. 111218 E73 中国（香港）特辑（下） 8. 120722 E104 【最新】奥运特辑（这期容和在铃铛大战中很早就淘汰了，伤心......）

总共只有七期，其中两起是有上下的，你应该看完了吧。。。个人认为香港的两期不怎么好看，完全没有显示出容和的本领...在世宗文化馆，中央邮政局，汉阳女子大学的最好看，强的没话说，王牌啊！最近要播容和2012年参加的奥运特辑了.大概22号左右。期待哦

郑容和参加了哪几次running man

3，跑分15玩的主机能玩什么游戏

大型单机网游都可以玩不说特效全开至少可以带我起

全称:nintendo dual screen(nds) nds是任天堂用以取代game boy(gb)系列的新一代掌机,和目前的psp主机最大的不同是,有两个屏幕并且下屏为触摸屏。 netware目录服务中的对象,netware directory services netware directory services,novell netware 4.0 引入的一种功能,能提供对位于一个或多个服务器上的目录的访问。在netware 4.x中netware目录服务(nds)的功能适用于x.500的命名服务,其中,用户帐户和网络中的资源是以对象的形式进行管理的。一个用户对象包括名称、计算机结点地址、登录原语和其他关于一个网络用户的有生命力的管理信息。资源,如服务器、打印机、卷宗,也表示为对象。这些对象具有描述谁能使用和改变它们的性质。对象存储在netware目录数据库(ndb)中,并且以层次树的结构进行组织。“包容器对象”通常表示一个机构的分支机构或部门。包容器对象包含其他对象,如用户对象、服务器对象和打印机对象。树的组织形式是重要的。由于一个对象表示一个分支机构或部门,因而管理人员可以授予一位经理或超级用户对一个包容器对象的不同权力,即授予这位经理或超级用户对这个包容器对象内所有对象的管理权限。其中nds是水货,ids是行货。 2009年3月11日任天堂宣布,3月6日nds全球销量过亿,超越ps2成为世界最快达成一亿销售量的主机。 nds游戏只能用nds游戏机玩。属于掌机

通杀目前的网游！大型大型单机游戏不开特效都可以玩

跑分15玩的主机能玩什么游戏

4，DXP里怎么自己画封装

转载：绘制封装元件用绘图工具箱 2、用向导创建封装元件：用向导创建封装元件根据封装元件的不同其步骤也有所不同，但是基本的方法大致是相同的，下面我们对最基本的方法简单介绍一下： ①、单击*.PcbLib(在那个元件库创建就单击那个元件库)，将*.PcbLib作为当前被编辑的文件； ②、单击【Tools】/【New Component】,在对话框中选择准备创建元件的封装类型，下面的表格是各封装类型对照表：序号名称说明 1 Ball Grid Arrays(BGA) BGA类型 2 Capacitors CAP无极性电容类型 3 Diodes 二极管类型 4 Dual in-line Package(DIP) DIP类型 5 Edge Connectors EC边沿连接类型 6 Leadless Chip Carier(LCC) LCC类型 7 Pin Grid Arrays(PGA) OGA类型 8 Quad Packs(QUAD) GUAD类型 9 Resistors 二脚元件类型 10 Small Outline Package(SOP) SOP类型 11 Staggered Ball Gird Arrayd (SBG) SBG类型 12 Staggered Pin Gird Arrayd (SPGA) SPGA类型假定我们选择Dual in-line Package(DIP)的封装类型，并选择单位制为“Imperial”(英制，一般均选择英制)，然后单击“Next”； ③、在这个对话框中是设置焊盘的大小，我们如果是创建一个DIP封装的元件，可以采用默认值，当然如果创建的不是典型的DIP封装元件，要根据焊盘流过的电流大小设置，对于电流较大的元件焊盘要设置的稍大一点，设置好后单击“Next”； ④、在这个对话框中是设置焊盘之间的X方向和Y方向间距的，如果我们是创建一个DIP封装的元件，可以采用默认值，当然如果创建的不是典型的DIP封装元件，要根据焊盘流过的电流大小设置，对于电流较大的元件焊盘的间距要设置的稍大一点，设置好后单击“Next”； ⑤、在这个对话框中是设置丝印层中丝印线条的宽度的，为了使丝印比较清晰最好印线条的宽度的设置为2-5mil，比较流行的设置是5 mil，设置好后单击“Next”； ⑥、在这个对话框中是设置焊盘的数目，我们如果是创建一个DIP封装的元件，根据封装设置；如果创建的不是DIP封装的元件，要根据焊盘的多少设置，当然由于是DIP封装设置一般要采用双数，如果设置和具体的封装有区别，在后面我们还可以修改，设置好后单击“Next”； ⑦、在这个对话框中是设置封装元件的名称的，在文本输入框输入即可，输入好后单击“Next”； ⑧、进入向导完成对话框，单击“Finish”结束向导。如果我们创建的是DIP元件，基本已经完成，但是我们创建的不是DIP元件，可能和元件封装有一定的差别，我们可以进行手工修改； ⑨、用手工绘制的方法进行修改，修改的内容包括增加或减少焊盘、对某个焊盘进行大小和名称的重新设置、对某个焊盘进行移动、重新绘制元件封装的轮廓线等等。全部设置和修改完成并经过反复检查认为没有问题后，点击【Edit】/【Set Reference】/【*】设置参考点。点击【Report】/【Component Rule Check】执行元件设计规则检查，如果在输出报表没有错误，则设计是成功的。点击主工具条的存盘键进行存盘。

5，我的dxp2004放置引脚没有这一选项

可以直接使用快捷键PP ，不去点击方便多了，在画原理图PP是放置引脚，PCB中PP是放置焊盘

1、用手工绘制封装元件：用绘图工具箱2、用向导创建封装元件：用向导创建封装元件根据封装元件的不同其步骤也有所不同，但是基本的方法大致是相同的，下面我们对最基本的方法简单介绍一下：①、单击*.pcblib(在那个元件库创建就单击那个元件库)，将*.pcblib作为当前被编辑的文件；②、单击【tools】/【new component】,在对话框中选择准备创建元件的封装类型，下面的表格是各封装类型对照表：序号名称说明1 ball grid arrays(bga) bga类型2 capacitors cap无极性电容类型3 diodes 二极管类型4 dual in-line package(dip) dip类型5 edge connectors ec边沿连接类型6 leadless chip carier(lcc) lcc类型7 pin grid arrays(pga) oga类型8 quad packs(quad) guad类型 9 resistors 二脚元件类型10 small outline package(sop) sop类型11 staggered ball gird arrayd (sbg) sbg类型12 staggered pin gird arrayd (spga) spga类型假定我们选择dual in-line package(dip)的封装类型，并选择单位制为“imperial”(英制，一般均选择英制)，然后单击“next”；③、在这个对话框中是设置焊盘的大小，我们如果是创建一个dip封装的元件，可以采用默认值，当然如果创建的不是典型的dip封装元件，要根据焊盘流过的电流大小设置，对于电流较大的元件焊盘要设置的稍大一点，设置好后单击“next”；④、在这个对话框中是设置焊盘之间的x方向和y方向间距的，如果我们是创建一个dip封装的元件，可以采用默认值，当然如果创建的不是典型的dip封装元件，要根据焊盘流过的电流大小设置，对于电流较大的元件焊盘的间距要设置的稍大一点，设置好后单击“next”；⑤、在这个对话框中是设置丝印层中丝印线条的宽度的，为了使丝印比较清晰最好印线条的宽度的设置为2-5mil，比较流行的设置是5 mil，设置好后单击“next”；⑥、在这个对话框中是设置焊盘的数目，我们如果是创建一个dip封装的元件，根据封装设置；如果创建的不是dip封装的元件，要根据焊盘的多少设置，当然由于是dip封装设置一般要采用双数，如果设置和具体的封装有区别，在后面我们还可以修改，设置好后单击“next”；⑦、在这个对话框中是设置封装元件的名称的，在文本输入框输入即可，输入好后单击“next”；⑧、进入向导完成对话框，单击“finish”结束向导。如果我们创建的是dip元件，基本已经完成，但是我们创建的不是dip元件，可能和元件封装有一定的差别，我们可以进行手工修改；⑨、用手工绘制的方法进行修改，修改的内容包括增加或减少焊盘、对某个焊盘进行大小和名称的重新设置、对某个焊盘进行移动、重新绘制元件封装的轮廓线等等。全部设置和修改完成并经过反复检查认为没有问题后，点击【edit】/【set reference】/【*】设置参考点。点击【report】/【component rule check】执行元件设计规则检查，如果在输出报表没有错误，则设计是成功的。点击主工具条的存盘键进行存盘。

6，笔记本和台式机内存条的插口类型有哪些针脚数是多少各用

DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。对应于内存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。金手指金手指（connecting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。内存金手指内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。内存插槽最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板，此种方法付出的代价较大，也极为不方便。对于内存存储器，大多数现代的系统都已采用单列直插内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双列直插内存模块（Dual Inline Memory Module，DIMM）来替代单个内存芯片。早期的EDO和SDRAM内存，使用过SIMM和DIMM两种插槽，但从SDRAM开始，就以DIMM插槽为主，而到了DDR和DDR2时代，SIMM插槽已经很少见了。下边具体的说一下几种常见的内存插槽。 SIMM（Single Inline Memory Module，单内联内存模块）内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDD DRAM，最初一次只能传输8bif数据，后来逐渐发展出16bit、32bit的SIMM模组，其中8bit和16bitSIMM使用30pin接口，32bit的则使用72pin接口。在内存发展进入SDRAM时代后，SIMM逐渐被DIMM技术取代。 DIMM（Dual Inline Memory,双内联内存模块) DIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。 RIMM RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也184 Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。 DIP封装上个世纪的70年代，芯片封装基本都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合PCB（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。DIP封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。但DIP封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1：1.86，这样封装产品的面积较大，内存条PCB板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技术的发展，这个比值日益接近，现在已经有了1：1.14的内存封装技术。 TSOP封装到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。 TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。 BGA封装 20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。 BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支,是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。 TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。 CSP封装 CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。 CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。 CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W完美回答

目前主流的有2种，DDR和DDR2。DDR是184针，DDR2是240针。DDR内存的封装格式一般是LGA封装，看上去颗粒一般是通过针脚焊接在电路板上的，而DDR2的颗粒封装规格是FBGA的，外表看不到针脚，其实它的针脚是在底面上的。

比较近有 SDRAM , DDR ,DDR2 三代最为流行. 更老之前的还有 EDO 的内存条. SDRAM 有 168针, 一般采用TSOP封装,具有成品率高,价格便宜等优点.但是缺点是频率提升比较有限. 后来发展成为 DDR ,其实DDR只是在 SDRAM 的技术参数上给予一些改进,改进了针脚,变成了 184针. 封装技术依然是一样. DDR400 其实就是 200Mhz 的物理频率. 只是通过DDR技术等效于 DDR400Mhz 的频率. 到现在占领市场的就是 DDR2 内存了,采用240针. 采用BGA . 能够很容易的提升频率. 散热等方面更佳. 笔记本的内存条,在技术上也是沿着台式机的发展的,但是针数并不完全和台式机的一样,但是也有完全采用台式机的一样的.